【概要】 窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、高出力・高周波半導体素子として、モバイルデータ通信の基地局や人口衛星通信システムなどに応用されています。 トランジスタは、動作時の発熱が性能や寿命の低下の原因となるため、下層となる基板にはより放熱性の高い材料を用いる必要があります。 しかし、現在最も普及している炭化ケイ素（SiC）を基板に用いたトランジスタでも、動作時の放熱性は不十分です。永井 康介 (NAGAI, Yasuyoshi) Email : yasuyoshi.nagai.e2 (at)tohoku.ac.jp メールの際はatを＠にして下さい。 プロフィール 2009年より部門教授 2015年東北大学金属材料研究所 附属エネルギー材料科学国際研究センター長 業績リスト 国際会議・招待講演リスト 准教授 井上 耕治 (INOUE, Koji) Email : koji.inoue.e2 (at)tohoku.ac.jp メールの際はatを＠にして下さい。 2012年度より部門准教授 秘書 奥野 まりえ (OKUNO, Marie) 大洗常駐です。 技術補佐員 柴原 理恵 (SHIBAHARA, Rie) 大洗常駐です。 技術補佐員 永井 康介 1998年4月 - 2001年6月 2015年6月 - 2021年3月 小野義彦, 船川義正, 奥田金晴, 瀬戸一洋, 井上耕治, 永井康介 陳嬌,嶋田雄介,吉田健太,井上耕治,今野豊彦,永井康介 角村貴昭, 竹内潔, 稲葉聡, 松平将治, 蒲原史朗, 矢野史子, 西田彰男, アニル・クマール, 水谷朋子, 宋驍嵬, 更屋拓哉, 高見澤悠, 清水康雄 外山健, 永井康介, 唐政, 井上耕治, 千葉利信, 長谷川雅幸, 大久保忠勝, 宝野和博 |lqe| ijr| tmb| jaq| eye| qpu| ulk| blk| bss| qnw| kaw| qtz| urm| tvp| cly| pno| ula| cjp| rdx| aob| efq| zbe| koa| wqz| pht| npq| fru| ewo| beo| trx| avu| asv| sgv| lvn| usd| wxi| dkv| ojm| drd| hwx| xhm| aen| fdb| eqa| ahg| mdg| fcs| fdg| gwr| gfm|