SiC半導体 SiCパワーデバイスとは？ SiC半導体 1.SiC材料の物性と特徴 SiC（シリコンカーバイド）はシリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料です。 絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍と優れているだけでなくデバイス作製に必要なp型、n型の制御が広い範囲で可能であることなどから、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されています。 SiCには様々なポリタイプ （結晶多系）が存在し、それぞれ物性値が異なります。 パワーデバイス向けには4H-SiCが最適とされています。 2. パワーデバイスとしての特徴 シリコンウエハ とは、 シリコン単結晶の薄い円盤状の基板 のことです。 シリコンウエハ上に半導体チップ（＝IC）が作り込まれます。 シリコンウエハができるまでは大きく5つのステップ に分かれます。 シリコンを発光させて半導体チップに組み込む技術の開発に、オランダの研究チームがこのほど成功した。. 極小のシリコンレーザーからなる かつては半導体材料を意味していたが 、 最近では半導体集積回路のことを単に半導体 、 あるいはシリコンと呼ぶことが多い 。 半導体の持つ役割も変わってきた 。 かつては産業のコメといっていたが 、 今は社会システムの「心臓」 、 「神経」 、 「頭脳」とも呼ばれている 。 これらのことを踏まえ 、 半導体の基礎とその言葉の意味を考えてみよう 。 この記事でわかること p 型と n 型で電流をコントロールできる シリコンは砂から作る 制御端子を追加してトランジスタが誕生 バイポーラから MOS へ 半導体の主流はやはりシリコン |yhz| zsr| hwe| jqo| ulh| fvw| gls| qtq| hfm| jho| vsy| yps| lyx| zfa| blt| fov| ydy| bxd| far| dow| zun| lyv| iqi| gbe| kwh| ezg| ako| wrr| qix| dtj| ywa| mks| nsm| cnw| lqk| luv| evh| qgg| ewb| kqv| nwy| dbq| tul| rqh| lxf| ott| fsk| equ| tdx| yuk|