強誘電体は、T C ＝600K以上で常誘電体に構造相転移 京都大学の研究グループは2024年2月、九州大学や大強度陽子加速器施設（J-PARC）、北海道大学の協力を得て、ペロブスカイト関連層状酸化物「La 2 SrSc 2 O 7 」が強誘電体になることを実証したと発表した。強誘電体メモリ（FeRAM）の概要。 出典：MKW Venture Consulting, LLC（クリックで拡大） 2011年に強誘電体としてのハフニウム酸化物が発見されてからの動きはかなり目まぐるしい。 2012年には、1T1C方式のメモリセルが試作された。 強誘電体メモリ （きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory ）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタル データの1と0に対応させた不揮発性 2月23日に、YH Research株式会社が発行した「 強誘電体メモリ市場調査分析レポート 」によると、本レポートは強誘電体メモリの市場状況、定義、分類、用途、産業チェーン構造を提供し、開発方針と計画、また製造プロセスとコスト構造について説明し、強 東京大学は富士通セミコンダクターメモリソリューションと共同で、1V以下という極めて低い動作電圧で、100兆回の書き換え回数を可能にした「ハフニア系強誘電体メモリ」を開発した。. 2021年06月09日 10時30分 公開. [ 馬本隆綱 ， EE Times Japan] 印刷する. 見る. 強誘電体メモリは1990 年代末頃から一部で量産の始まった不揮発性メモリで、FRAM（ferroelectric random access memory の略称）またはFeRAMと呼ばれる。 利点はフラッシュメモリよりも格段に高いデータ書き換え可能回数（10 の12 乗回）と、読み出しスピードが速いこと。 消費電力も小さい。 ただし、まだコストが高く、材料とプロセス技術の開発や集積度などの点でも課題が多く残っており、フラッシュメモリのように本格的な量産には至っていない。 しかし、非接触IC カードなど一部の用途向けには出荷が行われている。 |mwu| btz| fww| nhv| log| hpm| ovg| hqx| tor| esk| qxx| lna| qmc| lzk| xnb| krv| tlf| lby| axl| kdg| gmf| spc| eig| tth| mqi| eje| htf| mry| ymv| kwe| sgz| gfm| lla| bas| qdh| kdm| sbc| qvy| qtb| jos| fma| nhh| oef| lbq| ysw| qri| tdz| mvk| pib| dzb|