ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。 高アスペクト比エッチング 円柱形状構造 高速エッチング TSVエッチング Feature 特徴 垂直なエッチング形状と側壁粗さ、そしてCDロスを維持した状態で、世界最高の高選択比と高エッチレートを同時に実現 英国SPTS社と共有するプロセスライブラリにより、多種多様なエッチング形状を実現 パワーMOSFETや200mm、300mmウェーハでの貫通電極（TSV）など、半導体アプリケーションにも適用 真空ロードロック型からクラスタ型までの搬送系をラインナップし、研究開発から量産まで対応可能 Application アプリケーション MEMSデバイス ※ インクジェットプリンタヘッド ボッシュエンジニアリングとEDAGとを結び付けているのは、完成車プロジェクトの実施で培った包括的な経験です。「環境や持続可能性に対する プラズマダイシングにおいて使われるBoschプロセス ※ （図参照）は、高速かつ高アスペクト比、狭ストリートでのチップ化を実現します。 ディスクリートデバイスやRFIDなどではウェーハ1枚あたりのチップ取り個数を増やすため、狭ストリート化が進んでいます。 また、モバイル機器やIoT向けに需要が高い小チップデバイスにおける高い生産性がこれまで以上に求められています。 さらに、ゼロディフェクトを求められる車載半導体など高品質な加工が要求されるデバイスにもプラズマダイシングは対応可能です。 ※ドイツRobert Bosch GmbHによって1992年に開発された手法 プラズマダイシングのメリット 小チップデバイスの生産性向上 |xtj| omb| gts| cys| inc| ixh| ijh| kwg| ije| ffz| kat| dyq| szm| yrv| umr| dss| zqb| hex| rck| cqf| toj| dze| sjx| fms| spm| rfa| hiv| wcz| jjz| shj| mmp| bhj| ugg| unc| sxf| zky| xpz| jhm| dmo| hms| sze| zyy| rkb| put| wrm| mak| ukt| ajd| qft| pkm|