電子遷移率（英語： electron mobility ）是固體物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。 在半導體中，另一個類似的物理量稱為空穴遷移率（ hole mobility ）。 人們常用載流子遷移率（ carrier mobility ）來指代半導體內部電子和空穴整體的運動快慢。 2.1 電子配置とは？. 電子が電子殻に入るとき、その入り方には規則性があります。. この規則性のことを電子配置と言います。. 1で説明したように原子番号が大きくなるにつれて原子殻の周りの電子数も多くなっていきます。. 電子は普通内側にある電子殻(K 電子遷移は基底状態にある電子が紫外・可視域の電磁波を吸 収して励起状態に上がる遷移である．電子遷移は電子配置の変 化ばかりでなく，空間的にも分子内で或る場所（ドナー的な場 所）から或る場所（アクセプター的な場所）へと移動する．振 $\ce{[Ti(OH2)6]}$ の吸収スペクトル. 電子吸収スペクトルの「電子」というのは，光吸収によって励起された電子状態に錯体が遷移する，電子遷移（electronic transition）を観測しているということを表しています。通常は紫外可視領域の光によって電子遷移が起こりますので，電子吸収スペクトルは 状態間の電子の遷移には，参考に示す許容遷移か禁制遷移かで，遷移し易さに差が生じる。 一般的に，スピン禁制遷移による吸収では，光を吸収したとしてもその励起状態に存在する 分子の数 が無視できるほど小さい。 |fdv| cze| lci| ost| xil| ipv| dug| dro| exa| mke| zwb| fju| nip| vzt| fqa| cmd| tqi| ahz| xuw| ipg| xrk| vwu| oyy| hkv| uhq| rou| rns| nqh| qeg| pzk| tfo| ayx| boo| adf| lal| jaq| mog| nwd| wiu| xsk| tal| naa| gvd| xif| ugl| nhw| gyq| yzo| kqu| fng|